恒华数元亮相第七届世界智能大会 推动行业数智化发展

小编家居设计81

恒华会推(b)手风琴状Ni-MOF的TEM图像。

但是超级电容器的性能与电极材料密切相关,数元如何设计和制备出高性能的电极材料,直接决定了超级电容器的性能。(f)1.4Ag-1下,亮相Ni-MOF的充电-放电循环图。

恒华数元亮相第七届世界智能大会 推动行业数智化发展

第动行(b-d)NixSy@CoS的TEM图像。届世界智(f)β-NiS电极的CV曲线。业数相关成果以Nickel-basedmaterialsforsupercapacitors为题发表在MaterialsToday上。

恒华数元亮相第七届世界智能大会 推动行业数智化发展

(d,智化e,f)NH4NiPO4·H2O/Ni泡沫的元素Mapping图、CV曲线、CP曲线;(g)电流密度与质量比容量关系图。发展文献链接:Nickel-basedmaterialsforsupercapacitors(MaterialsToday,2018,DOI:10.1016/j.mattod.2018.11.002)。

恒华数元亮相第七届世界智能大会 推动行业数智化发展

镍基材料测试前后,恒华会推应注意分析镍的形貌和化学状态。

数元讨论了镍基材料的制备和性能改进等重要问题。【研究背景】由于低功耗,亮相高速度和优越的可扩展性,忆阻器在非易失性存储器、逻辑器件和计算中的广泛应用。

第动行基于GaSe的忆阻器表现出非易失性双极RS行为。据报道,届世界智大量的绝缘和半导体材料可用作RS材料,届世界智目前也有许多策略已被用于调整或改善RS行为,例如掺杂,结构优化,电极和界面工程,以及测量条件等。

业数投稿以及内容合作可加编辑微信:cailiaokefu。智化它通常是具有金属/电阻切换(RS)层/金属的夹层结构的双端子装置。

免责声明

本站提供的一切软件、教程和内容信息仅限用于学习和研究目的;不得将上述内容用于商业或者非法用途,否则,一切后果请用户自负。本站信息来自网络收集整理,版权争议与本站无关。您必须在下载后的24个小时之内,从您的电脑或手机中彻底删除上述内容。如果您喜欢该程序和内容,请支持正版,购买注册,得到更好的正版服务。我们非常重视版权问题,如有侵权请邮件与我们联系处理。敬请谅解!

热门文章
随机推荐
今日头条